历时四年研发攻克ArF光刻胶
国内集成电路产业获得重大突破！首个国产ArF光刻胶在南大光电诞生。这是南大光电历时四年自主研发的成果。
“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目，于2017年开始研发，至今已近四年。
认证评估报告显示，本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。
南大光电在公告中表示，本次产品认证的通过，标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一支国产ArF光刻胶，为全面完成项目目标奠定了坚实的基础。
在今年半年报中，公司披露，193nm光刻胶作为当前高端芯片制造中最为核心的原材料，被誉为半导体工业的“血液”，可以用于90nm~14nm技术节点的集成电路制造工艺。
截至今年6月底，公司安装完成一条193nm光刻胶生产线，用于产品检测的光刻机也已完成安装，产线和光刻机均处于调试阶段。
上述项目投资6.56亿元，根据规划，南大光电将达到年产25吨193nm(ArF干式和浸没式)光刻胶产品的生产规模，以满足集成电路行业的需求。
市场认为，ArF光刻胶的市场前景好于预期。随着国内IC行业的快速发展，自主创新和国产化步伐的加快，以及先进制程工艺的应用，将大大拉动光刻胶的用量。
南大光电表示，目前与客户的产品销售与服务协议尚在协商之中。同时，ArF光刻胶的复杂性决定了其在稳定量产阶段仍然存在工艺上的诸多风险，其在应用工艺的改进、完善等方面的表现，都会决定ArF光刻胶的量产规模和经济效益。
多途布局半导体材料助力国产化
不仅仅是光刻胶，南大光电还积极布局电子特气等多种半导体材料，助力集成电路产业国产化。
官网显示，南大光电的历史起源于1986年，技术来源于南京大学。创始人孙祥祯教授开始承担国家科委组织的“高纯度金属有机化合物(MO源)”国家“七五”重点科技攻关的研究与开发，高纯三甲基锑研发成功。1991年，研究组向国内半导体材料科研和生产需求单位提供多种MO源产品。2000年，开发出适合三甲基镓、三甲基铟等大规模工业化生产的新工艺，实施高纯三甲基镓、三甲基铟、二乙基锌、二茂镁的产业化生产。
经过多年系列布局，如今的南大光电产业布局，除了光刻胶外，还有MO源、电子特气、ALD/CVD前驱体材料等三大板块。
在这三大板块中，MO源系列产品是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航空航天等领域有极其重要作用。目前，南大光电是全球主要MO源生产商，市占率约为25%，产品主要应用于制备LED外延片等，不仅实现了进口替代，还远销亚太及欧美地区。
电子特气是集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、LED、太阳能电池、光纤等电子工业生产中必不可少的基础和支撑性材料。南大光电生产的高纯磷烷、砷烷纯度达到6N级别，产品在LED行业取得主要的市场份额。同时，在IC行业，公司实现了产品进口替代。2019年下半年，公司收购山东飞源气体57.97%股权，进一步推进电子特种气体业务布局。
高纯ALD/CVD前驱体是整个电子工业体系的核心原材料之一，广泛应用于手机电脑芯片、太阳能电池、移动通讯、卫星导航、航天器等诸多方面，在航空航天、新型太阳能电池、电子产品等领域发挥着巨大作用。南大光电掌握了多种ALD/CVD前驱体材料的生产技术，并且具备规模化生产能力，可提供包括TDMAT在内的多种产品，部分产品已经通过客户验证，实现了小批量销售。
南大光电的目标是，成为一家国内一流、具备国际竞争力的电子材料企业。
技术驱动的南大光电积极投身研发。2018年、2019年，公司研发投入为0.37亿元、0.66亿元，分别占当期营业收入16.37%、20.49%。
近几年，南大光电经营业绩持续增长。2017年至2019年，公司实现的营业收入为1.77亿元、2.28亿元、3.21亿元，同比增长74.90%、28.76%、40.85%。归属于上市公司股东的净利润(简称净利润)为0.34亿元、0.51亿元、0.55亿元，同比增长348.28%、51.43%、7.36%。
今年前三季度，公司实现营业收入4.29亿元、净利润0.89亿元，同比增长96.15%、97%。
